Оновлено
2020-02-17
12:44

Струк Андрій Ярославович

Струк Андрій Ярославович

Посада: доцент, заступник декана з міжнародних відносин
Вчений ступінь: к. ф.-м. н.
Вчене звання: доцент кафедри будівництва

Курси, що читає:

- Технічна механіка рідин і газу
- Будівельне матеріалознавство
- Будівельна кліматологія

Додаткова інформація:

  Дата народження: 27 червня 1985 р.

  Освіта:

  2007 р., Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. Спеціальність – “Фізика твердого тіла”, кваліфікація – магістр фізики.

  2013 р., Луцький національний технічний університет – “Промислове та цивільне будівництво”, кваліфікація – спеціаліст, інженер-будівельник.

  Кандидат фізико-математичних наук з 2011 року – дисертацію на здобуття наукового ступеню захищено у спеціалізованій вченій раді при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича.

  З 04.09.2016 по 20.12.2016 року пройшов стажування в Університеті прикладних наук м. Любек (Німеччина).

  Учасник міжнародного симпозіуму «Використання відновлювальних матеріалів в реставрації та збереженні пам’яток архітектури» в м. Лейпциг (Німеччина, 10 листопада 2016 р.).

Основні публікації:

  1. X-ray images of dislocation loops and barriers in silicon crystals in the case of transmission geometry / D. Fedortsov, І. Fodchuk, S. Novіkov, A. Struk // Proc. of SPІE. – 2008. – Vol. 7008. – P.70081A-1-5.
  2. X-ray sectіon іmages of dіslocatіons and dіslocatіon barrіers іn Sі / S. Novіkov, І. Fodchuk, D. Fedortsov, A. Struk // Phys.stat.sol. (a). – 2009. – Vol. A206. – №8. – P. 1820-1824.
  3. Формирование дифракционных изображений деформационных полей на рентгеновских топограммах при действии сосредоточенной силы / С.Н. Новиков, А.Я. Струк, И.В. Фесив, И.М. Фодчук // Металлофизика и новейшие технологии. – 2010. – Т. 32. – №8. – С. 1021-1031.
  4. Calculated images of dislocations in crystals on section topograms / S.M. Novikov, I.M. Fodchuk, D.G. Fedortsov, A.Ya. Struk // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. – 2010. – Vol. 13. – №.3. – Р.268-272.
  5. Рентгенотопографические изображения дислокационных петель в кристаллах / С.Н. Новиков, А.Я. Струк, И.М. Фодчук // Металлофизика и новейшие технологии. – 2010. – Т. 32. – №10. – С.1422-1431.
  6. Fodchuk I.M., Novikov S.M., Struk A.Ya. The features of X-ray topographic contrast formation in silicon with dislocation clusters // Proceedings of SPIE. - 2011. - Vol. 8338. – P.83381B-1 – 83381B-8.
  7. The Features of Х Ray Topographic Contrast Formation in Silicon with Dislocation Clusters / I.M. Fodchuk, S.N. Novikov, D.G. Fedortsov, A.Ya. Struk, and I.V. Yaremchuk // Crystallography Reports. – 2013. – Vol. 58, No7. – Р. 976-983.
  8. Аналіз особливостей ауксетичних властивостей фуллерита С60 / М. Д. Раранський, В. Н. Балазюк, М. М. Гунько, А. Я. Струк // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2015. - № 5(5). - С. 18-23.
  9. Formation of auxetic surfaces in rhombic syngony single crystals /Mykola D. Raransky, Vitaliy N. Balazyuk, Mikhailo M. Gunko, Vasyl B. Gevyk, Andriy Y. Struk // Proceedings ofSPIE 2015. – Vol. 9809. – P.98090Q-1 – 980901-11.

Ваші зауваження, запитання та пропозиції:webmaster6FW€@°«O"яchnu.edu.ua
 © 1999-2016 Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича; Програмування: Крамар А.В.